Եթե ցանկանում եք ձեր գլուխը փաթաթել հաշվողական տեխնոլոգիայի հիմնական բաղադրիչի շուրջ՝ ժամանակակից սմարթֆոններից մինչև բարձրակարգ սեղանադիր համակարգիչներ, դուք պետք է հասկանաք FinFET տեխնոլոգիան:
Ի՞նչ է FinFET-ը:
FinFET-ը տեխնոլոգիական նորամուծություն է, որը թույլ է տվել չիպեր արտադրողներին, ինչպիսիք են Samsung-ը, TSMC-ը, Intel-ը և GlobalFoundries-ը զարգացնել ավելի փոքր և հզոր էլեկտրական բաղադրիչներ:
Դա ժամանակակից չիպերի դիզայնի այնքան կարևոր մասն է, որ այն օգտագործվում է գործընթացի հանգույցների շուկայավարման մեջ, որոնց վրա նրանք հիմնված են: Օրինակներից մեկը 7 նանոմետրանոց (նմ) FinFET գործընթացի տեխնոլոգիան է՝ AMD-ի երրորդ սերնդի Ryzen պրոցեսորների հիմքում: Վերջին տարիներին Nvidia-ն օգտագործել է TSMC-ի 16nm FinFET տեխնոլոգիան և Samsung-ի 14nm FinFET տեխնոլոգիան իր 10 սերիայի գրաֆիկական քարտերում, որոնք կառուցվել են Pascal ճարտարապետության վրա:
FinFET տեխնոլոգիայի տեխնիկական բաշխում
Տեխնիկական մակարդակում FinFET-ը կամ դաշտային ազդեցության տրանզիստորը մետաղական օքսիդ կիսահաղորդչային տրանզիստորի (MOSFET) որոշակի տեսակ է: Այն ունի կրկնակի կամ եռակի դարպասի կառուցվածք, որը թույլ է տալիս շատ ավելի արագ աշխատել և ավելի մեծ հոսանքի խտություն, քան ավանդական նմուշները: Սա հանգեցնում է նաև լարման ավելի ցածր պահանջների՝ FinFET դիզայնը դարձնելով էներգաարդյունավետ:
Չնայած FinFET տրանզիստորի առաջին դիզայնը մշակվել է 1990-ականներին՝ Depleted Lean-channel transistor կամ DELTA տրանզիստորի անվան տակ, միայն 2000-ականների սկզբին ստեղծվեց FinFET տերմինը: Դա մի տեսակ հապավում է, բայց անվան «փեղկ» հատվածն առաջարկվել է, քանի որ MOSFET-ի և՛ աղբյուրի, և՛ արտահոսքի հատվածները թևեր են կազմում այն սիլիկոնային մակերեսի վրա, որի վրա կառուցված է::
FinFET կոմերցիոն օգտագործում
FinFET տեխնոլոգիայի առաջին առևտրային օգտագործումը եղել է 2002 թվականին TSMC-ի կողմից ստեղծված 25 նմ նանոմետր տրանզիստորով:Այն հայտնի էր որպես «Omega FinFET» դիզայն, և այս գաղափարի հետագա կրկնությունները տեղի կունենան հաջորդ տարիներին, ներառյալ Intel-ի Tri-Gate տարբերակը, որը ներկայացվեց 2011 թվականին իր 22 նմ Ivy Bridge միկրոճարտարապետությամբ::
AMD-ը նույնպես պնդում էր, որ աշխատում էր նմանատիպ տեխնոլոգիայի վրա 2000-ականների սկզբին, թեև դրանից իրականում ոչինչ չստացվեց: Երբ 2009-ին AMD-ը հրաժարվեց GlobalFoundries-ում իր ունեցվածքից, բիզնեսի արտադրանքն ու արտադրական թեւերը ընդմիշտ կտրվեցին:
Սկսած 2014 թվականից, չիպերի բոլոր խոշոր արտադրողները՝ ներառելով GlobalFoundries-ը, սկսեցին օգտագործել FiNFET տեխնոլոգիան՝ հիմնված 16 նմ և 14 նմ տեխնոլոգիաների վրա՝ ի վերջո կրճատելով հանգույցի չափը մինչև 7 նմ վերջին կրկնումներով:
2019 թվականին լրացուցիչ տեխնոլոգիական առաջընթացները թույլ են տվել FinFET-ի դարպասների երկարության էլ ավելի մեծ կրճատումներ՝ հանգեցնելով 7 նմ-ի: Առաջիկա մի քանի տարվա ընթացքում մենք կարող ենք նույնիսկ տեսնել 5 նմ պրոցեսորային տեխնոլոգիա ավելի հզոր և արդյունավետ պրոցեսորների, գրաֆիկական քարտերի և System on Chip (SoC) համար:Այնուամենայնիվ, այս հանգույցների չափերը շատ դեպքերում մոտավոր են և միշտ չէ, որ ուղղակիորեն համեմատելի են TSMC-ի և Samsung-ի վերջին 7 նմ տեխնոլոգիայի հետ, որը մոտավորապես համեմատելի է Intel-ի 10 նմ գործընթացի հետ: